Проблема мінімізації у базисі Буля. Канонічна та загальна задачі мінімізації. Огляд методів розв’язання.  EMBED Visio.Drawing.11 
 1.  EMBED Visio.Drawing.11 
 2. Карта Карно  EMBED Equation.3 
  EMBED Visio.Drawing.11 
  EMBED Equation.3 
  EMBED Equation.3 
 3. 4. Метод глобального винесення за дужки:  EMBED Equation.3 
 11 букв 9 букв 8 букв Чим більше винесення за дужки, тим менша швидкодія 5.Введення надлишковості з глобальним винесенням за дужки: x1x2x3x1x3x4x5x1x2x4x6x4x5x6 = – 14 букв =x1x2(x1x3x4x6) x4x5(x1x3x4x6)=(x1x3x4x6)(x1x2x4x5) – 8 букв  Репрограмовані ПЗП. РПЗП – це такі, в яких МПС виконується лише операція читання, але дозволяється стирання інформації, що в ній зберігається і запис нової. РПЗП виконує лише на МОН транзисторах. Наявність або відсутність заряду визначається лише включенням або виключенням транзистора, оскільки існують різні порогові напруги для включення і виключення. РПЗП випускається у вигляді матриць. NМОН – транзистори, в яких мож. вентилазація затвору, та ізолюючий діелектрик – тонкий шар нітро-кремнію. При програмуванні на високих потенціалах електрони скупчуються на NSi і створюють не пропускний шар і транзистор встановлюється відкритий стан, а якщо цих електронів нема – транзистора закритий. Uз – напруга на затворі Іс – струм NSi має властивість захоплювати та тривалий час зберігати електричні заряди. Коли З подає високовольтний імпульс, що перевіряє критичний рівень В захоплює заряд в залежності від амплітуди і тривалості програмуючого імпульсу. Для стирання інформації достатньо додати імпульс протилежної полярності. В залежності від наявності заряду NMOH має більшу або меншу порогову напругу, тому для читання інформації достатньо подати сигнал амплітуда якого знаходиться між 2 пороговими рівнями. Перевага: Програмні імпульси, що подаються на З ізольовані від кола С-В, що дозволяє програмувати РПЗП без зняття МС з плати. В даних РПЗП допускається ре програмування окремих слів РПЗП з УФС Основним елементами таких РПЗП є МОН-транзистори з лавинною інжекцією і ізольованим затвором. Затвор у колі з SiO2 розташовані у колі діелектрика і немає зовнішнього виводу. При відсутності заряду на транзисторі він є виключеним. При подачі на С – 30В р-п-р перехід зміщується у режим лавинного пробою і електронного пробою з великою плаваючою енергією. Величина заряду залежить від амплітуди і часу програмного імпульса. Після зняття зовнішього кола поволить себе так, ніби на його коло подається зовнішня напруга – включений стан. Оскільки З немає зовнішнього виводу, то зняти заряд електричного імпульсу неможливо, а лише за допомогою УФС або рентгенівських променів. При цьому викликається фотострум від З до підложки і МС повертається у незалежний стан, при якому всі транзистори виключені. К155РУ5 (256слів Х 1розряд) Дійсні.  RISC архітектура і CISC архітектура. RISC архітектура заступила класичну (потім її переназвали як CISC) архітектуру на тому етапі розвитку напівпровідникових технологій, коли відомі методи реалізації машинних інструкцій почали перешкоджати використанню того частотного діапазону, який виявився притаманим новим кристалам. Сама по собі RISC архітектура із надмірно спрощеними, але пристосованими до над швидкого виконання інструкціями лише заглибила зростаючу прірву поміж надскладною архітектурою рівня кінцевого користувача і спрощеною архітектурою рівня машинних інструкцій. Отже, RISC архітектуру треба розглядати не як стрибок до майбутнього, а як вимушений, тимчасовий, хоча і ефективний компроміс поміж можливостями комп’ютерного дизайну і досягненнями напівпровідникових технологій. В порівнянні з класичною CISC (complex instruction set computer) архітектурою RISC (reduced instruction set computer) архітектура має: 1. Одноциклові операції. 2. Архітектурний дизайн load/store. 3. Апаратне керування. 4. Зменшене число інструкцій та адресувальних режимів. 5. Фіксований формат та по...